Samsung Electronics ha anunciado la producción en masa de los primeros SSD PM853T con NAND de 3-bit. Este ofrece un 30 por ciento más de eficiencia comparado con los SSD que usan componentes flash NAND de 2 bit.

Los componentes flash de 10 nanómetros de Samsung NAND Flash MLC de 3-bit y la tecnología de controlador avanzada, ofrecen velocidades de lectura secuencial de 520 megabytes por segundo, y de escritura secuencial es 420 MB/s. Además, la lectura random es de 90.000 IOPS y 14.000 IOPS de escritura.

Con la presentación de los SSD 3 SATA 6Gb/s 3-bit, Samsung refuerza su colaboración con los centros de datos mundiales y servidores para clientes, al mismo tiempo que aumenta su amplia gama de SSD (que incluye los interfaces SATA, SAS, y PCIe/NVME) para mejorar su liderazgo en el mercado de los SSD Premium.

Las primeras instalaciones de los SSD NAND de 3-bit en centros de datos de gran tamaño se esperan que comiencen a finales de este cuatrimestre.

“Esperamos que el mercado de los SSD de Samsung crezca gracias a las importantes ventajas que ofrece nuestros nuevos productos a los centros de datos. El objetivo de Samsung es liderar la comercialización de SSD en sistemas IT a finales de este año, “ha comentado Young- Hyun Jun, executive vicepresident, memory sales and marketing en Samsung Electronics.

Samsung espera que la adopción de los SSD de 3 bit en los centros de datos avance de manera rápida en sustitución de los SSD de 2 bit. Los nuevos PM853T SSD, están disponibles en diferentes capacidades de 240 GB, 480 GB y 960 GB, ofreciendo altos niveles de rendimiento IOPS (inputs/outputs per second) y calidad de servicio (QoS), ambos, esenciales para los centros de datos y aplicaciones de servicio en la nube.